uvled固化設備廠家三昆與您討論美國開發的UVLED的波長和最短

被稱為殺手  UV-C  UV，波長僅為  200  至  280  納米，具有高能量，可以穿透病毒，細菌，真菌和粉塵膜 螨蟲攻擊  DNA  并破壞這些有害生物。 uvled固化設備廠家三昆科技將與您討論在美國開發的UVLED的波長和最短情況   被稱為殺手  UV-C  UV，該波長僅   200  至  280  納米，高能，可以穿透病毒，細菌，真菌和塵螨的膜，攻擊  DNA  并破壞這些有害生物。   自丹麥教授 Niels Finsen 發現UV可用于固化結核病以來，人類使用UV進行滅菌已有100多年的歷史了。 但是，目前使用的深UV燈不僅體積大且效率低下，而且還含有對環境有害的汞。

 美國康奈爾大學的研究小組最近開發了一種小型且更環保的深紫外LED光源，這為當前的工業  deep-UV [ 記錄LED的最低波長 。
 研究人員使用具有原子能級控制界面的氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）單層膜作為反應區域，成功發射了  232  至  270  納米深UV  LED  。 這種  232  納米的深UV記錄了使用氮化鎵作為發光材料發出的最短波長的光的記錄。 之前的記錄是日本團隊創造的239nm。

 提高LED-UV的效率
 當前，LED-UV的最大瓶頸是發光效率，可以通過三個方面來衡量：
  1.  注入效率：通過設備注入反應區的電子比例。
  2.  內量子效率（IQE）：反應區域中所有電子產生的光子或UV的比例。
  3.  光提取效率：在反應區域中產生的光子所占的比例，這些光子可以從設備中取出并使用。
 論文的作者之一  SM  （Moudud） Islam 說：“如果以上三個方面的效率達到  50%，乘積僅為八分之一，這意味著發光效率已降至  12%�！�
 在深UV帶中，這三個方面的效率都非常低，但是研究小組發現使用氮化鎵代替傳統的鋁氮化鎵可以提高內量子效率和光效率。 為了提高注入效率，研究團隊使用先前開發的技術在正極（電子）和負極（空穴）載流子區域中實現了極化感應摻雜方法。
 研發
成功提高深UV  LED  的發光效率后，研究團隊的下一步是將光源集成到設備中并朝著目標邁進 上市。 深UV的應用領域包括食品保鮮，假幣識別，光催化劑，水凈化和殺菌等。

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